KST56MTF Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | KST56 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Другие названия товара № | KST56MTF_NL |
Вес изделия | 60 mg |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 4 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.25 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |