LPT-80A Фототранзисторы PHOTOTRANSISTOR
Фототранзисторы PHOTOTRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 100 C |
---|---|
Упаковка / блок | Side Looker |
Торговая марка | OSRAM Opto Semiconductors |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | Phototransistors |
Тип | IR Chip |
Другие названия товара № | Q68000A7852 |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Время спада | 10 us |
Время нарастания | 10 us |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Темновой ток | 50 nA |
Длина волны | 880 nm |
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 50 mA |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
Слабый ток | 250 uA |