MBT35200MT2G Биполярные транзисторы - BJT TSOP6 PNP XSTR SPCL
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1377085
Биполярные транзисторы - BJT TSOP6 PNP XSTR SPCL
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSOP |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | MBT35200MT2G |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | MBT35200MT1G |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 35 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 55 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 1 A at 1.5 V, 100 at 1.5 A at 1.5 V, 100 at 2 A at 3 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 1 A at 1.5 V |