MBT6429DW1T1G Биполярные транзисторы - BJT 200mA 55V NPN
Биполярные транзисторы - BJT 200mA 55V NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SC-70-6 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MBT6429DW1 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 55 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 700 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 |