MD2001FX Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | ISOWATT-218FX |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 1000V Transistors |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 58 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 700 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 9 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 18 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 64 kHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 4.5 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 7 |