MD2009DFP Биполярные транзисторы - BJT High volt NPN power transistor CRT TV
Биполярные транзисторы - BJT High volt NPN power transistor CRT TV
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 FP |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | MD2009DFP |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 700 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.8 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 16 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 5 |