Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
MG12300D-BN2MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Dual 150TVj купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

MG12300D-BN2MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Dual 150TVj

Производитель
Littelfuse

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1377272

MG12300D-BN2MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Dual 150TVj

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Dual 150TVj

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 125 C
Упаковка / блокPackage D
Торговая маркаLittelfuse
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаBulk
СерияDual IGBT
Размер фабричной упаковки60
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Pd - рассеивание мощности1450 W
КонфигурацияDual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C480 A
Ток утечки затвор-эмиттер400 uA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V