Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
MG1275S-BA1MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A Dual купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

MG1275S-BA1MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A Dual

Производитель
Littelfuse

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1377282

MG1275S-BA1MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A Dual

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A Dual

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPackage S
Торговая маркаLittelfuse
Вид монтажаScrew
УпаковкаBulk
СерияMG1275S
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Вес изделия160 g
Pd - рассеивание мощности630 W
КонфигурацияDual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C105 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V