MG1275S-BA1MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A Dual
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A Dual
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | Package S |
Торговая марка | Littelfuse |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Серия | MG1275S |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Вес изделия | 160 g |
Pd - рассеивание мощности | 630 W |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 105 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |