MG1775S-BN4MM Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A IGBT
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A IGBT
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | Package S |
Торговая марка | Littelfuse |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Серия | MG1775S-BN4MM |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Вес изделия | 160 g |
Pd - рассеивание мощности | 520 W |
Конфигурация | Half Bridge |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 125 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |