MJD112TF Транзисторы Дарлингтона NPN Si Transistor Darlington
Транзисторы Дарлингтона NPN Si Transistor Darlington
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MJD112 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | MJD112TF_NL |
Вес изделия | 260.370 mg |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA |