MJD200G Биполярные транзисторы - BJT 5A 25V 12.5W NPN
Биполярные транзисторы - BJT 5A 25V 12.5W NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252-3 (DPAK) |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | MJD200 |
Размер фабричной упаковки | 75 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 65 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |