MJD31CITU Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1377458
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-251 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | MJD31 |
| Размер фабричной упаковки | 5040 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Вес изделия | 343.080 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 |