MJD350TF Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MJD350 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Вес изделия | 260.370 mg |
Pd - рассеивание мощности | 15 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 300 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 300 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 3 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |