MJD42C1G Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 20W PNP
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1377489
Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 20W PNP
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | IPAK |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Серия | MJD42C |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1.75 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz (Min) |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 0.3 A at 4 V, 15 at 3 A at 4 V |