MJD42CG Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 20W PNP
Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 20W PNP
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | DPAK |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Серия | MJD42C |
Размер фабричной упаковки | 75 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 1.75 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz (Min) |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 0.3 A at 4 V, 15 at 3 A at 4 V |