MJD45H11T4 Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur Switch
Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur Switch
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252 |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MJD45H11T4 |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 16 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |