MJD50TF Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MJD50TF |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | MJD50TF_NL |
Вес изделия | 260.370 mg |
Pd - рассеивание мощности | 15 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |