MJE2955TG Биполярные транзисторы - BJT 10A 60V 125W PNP
Биполярные транзисторы - BJT 10A 60V 125W PNP
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | MJE2955T |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 75 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |