MJE3055TTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | MJE3055 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | MJE3055TTU_NL |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 75 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |