MJE344G Биполярные транзисторы - BJT 0.5A 200V 20W NPN
Биполярные транзисторы - BJT 0.5A 200V 20W NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | MJE344 |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 15 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |