MJE5852G Биполярные транзисторы - BJT 8A 400V 80W PNP
Биполярные транзисторы - BJT 8A 400V 80W PNP
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | MJE5852 |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 80 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 450 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |