MMBT5550LT3G Биполярные транзисторы - BJT SS HV XSTR NPN 160V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1377832
Биполярные транзисторы - BJT SS HV XSTR NPN 160V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | MMBT5550L |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.06 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |