MMBT5551M3T5G Биполярные транзисторы - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
Биполярные транзисторы - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-723 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MMBT5551M3 |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 640 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.06 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 at 1 mA at 5 V |