MPS650 Биполярные транзисторы - BJT NPN Hi-Cur
Биполярные транзисторы - BJT NPN Hi-Cur
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Серия | MPS65 |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 75 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |