MRF1535FNT1 РЧ МОП-транзисторы RF LDMOS FET TO-272N
РЧ МОП-транзисторы RF LDMOS FET TO-272N
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-272 EP-6 |
Торговая марка | NXP / Freescale |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MRF1535N |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Тип | RF Power MOSFET |
Вес изделия | 1.279 g |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 135 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 20 V |