MRF5812LF РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1378323
РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Торговая марка | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tray |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Рабочая частота | 1 GHz |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |