MSD602-RT1G Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SC-59-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MSD602-RT1 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |