MUN5212DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MUN5212DW1 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 187 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at 5 mA at 10 V |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |