NDD03N60ZT4G МОП-транзистор NFET DPAK 2.6A 3.6R
МОП-транзистор NFET DPAK 2.6A 3.6R
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 61 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.3 Ohms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2 S |
Тип транзистора | 1 N-Channel |