Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NE3503M04-A РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Low Noise HJ FET купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NE3503M04-A РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Low Noise HJ FET

Производитель
CEL

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1378777

NE3503M04-A РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Low Noise HJ FET

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Low Noise HJ FET

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 125 C
Упаковка / блокFTSMM-4 (M04)
Торговая маркаCEL
Усиление12 dB
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки1
ТехнологияGaAs
Pd - рассеивание мощности125 mW
Рабочая частота12 GHz
NF - коэффициент шумов0.45 dB
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток4 V
Id - непрерывный ток утечки70 mA
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.55 mS
Тип транзистораHFET
Vds - напряжение пробоя затвор-исток- 3 V
Напряжение отсечки затвор-исток- 0.7 V