NE3509M04-T2-A РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1378782
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | FTSMM-4 (M04) |
| Торговая марка | CEL |
| Усиление | 17.5 dB |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | GaAs |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Рабочая частота | 2 GHz |
| NF - коэффициент шумов | 0.4 dB |
| P1dB - точка сжатия | 11 dBm |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 mA |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Тип транзистора | HFET |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V |