NE3510M04-A РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L-S Band Lo No Amp
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L-S Band Lo No Amp
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | FTSMM-4 (M04) |
Торговая марка | CEL |
Усиление | 16 dB |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | GaAs |
Pd - рассеивание мощности | 125 mW |
Рабочая частота | 4 GHz |
NF - коэффициент шумов | 0.45 dB |
P1dB - точка сжатия | 11 dBm |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4 V |
Id - непрерывный ток утечки | 97 mA |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 mS |
Тип транзистора | HFET |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V |
Напряжение отсечки затвор-исток | - 0.7 V |