NE3511S02-A РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | S0-2 |
Торговая марка | CEL |
Усиление | 13.5 dB |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Технология | GaAs |
Pd - рассеивание мощности | 165 mW |
Рабочая частота | 12 GHz |
NF - коэффициент шумов | 0.3 dB |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4 V |
Id - непрерывный ток утечки | 70 mA |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 mS |
Тип транзистора | HFET |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V |
Напряжение отсечки затвор-исток | - 0.7 V |