NE5517DR2G Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 976641
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5400 uS |
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-16 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NE5517 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Продукт | Transconductance Amplifiers |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Напряжение питания - мин. | 4 V |
| Рабочий ток источника питания | 2.6 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1125 mW |
| Тип выхода | Push Pull |
| Отключение | No Shutdown |
| Напряжение питания - макс. | 44 V |
| Vos - Входное напряжение смещения нуля | 5 mV |
| Тип усилителя | Transconductance Amplifier |
| Vcm - Синфазное напряжение | +/- 12 V |
| Выходной ток на канал | 650 uA |
| GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
| SR - скорость нарастания выходного напряжения | 50 V/us |
| Ib - Входной ток смещения | 5 uA |
| CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала | 80 dB |
| Максимальное входное сопротивление | 26 kOhm |
| Ios - Входной ток разбаланса | 0.6 uA |