NE856M02-AZ РЧ биполярные транзисторы NPN Low Distort Amp
РЧ биполярные транзисторы NPN Low Distort Amp
Характеристики
Упаковка / блок | M02 |
---|---|
Торговая марка | CEL |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Bulk |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
Тип транзистора | Bipolar |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |