NESG2101M16-T3-A РЧ биполярные транзисторы NPN High Frequency
РЧ биполярные транзисторы NPN High Frequency
Характеристики
Упаковка / блок | M16 |
---|---|
Торговая марка | CEL |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Технология | SiGe |
Pd - рассеивание мощности | 190 mW |
Рабочая частота | 2 GHz |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.5 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 130 |
Тип транзистора | Bipolar |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |