Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NGB8202ANT4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20A 400V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NGB8202ANT4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20A 400V

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1378900

NGB8202ANT4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20A 400V

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20A 400V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокD2PAK
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияNGB8202A
Размер фабричной упаковки800
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности150 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.440 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C20 A
Ток утечки затвор-эмиттер350 uA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер15 V