NGB8202ANT4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20A 400V
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20A 400V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | D2PAK |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NGB8202A |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 440 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 350 uA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 15 V |