Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NGTB03N60R2DT4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 3A 600V DPAK купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NGTB03N60R2DT4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 3A 600V DPAK

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1378914

NGTB03N60R2DT4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 3A 600V DPAK

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.4.5 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокDPAK-3
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Pd - рассеивание мощности49 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C9 A
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V