NGTB15N60EG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1378926
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT
Характеристики
| Упаковка / блок | TO-220 |
|---|---|
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | NGTB15N60EG |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Pd - рассеивание мощности | 47 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |