NGTB30N120LWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A FS1 IGBT
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1378947
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A FS1 IGBT
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | NGTB30N120L |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 560 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |