NGTB35N65FL2WG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1378957
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 70 A |
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |