Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NGTB40N120LWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FS1 IGBT купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NGTB40N120LWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FS1 IGBT

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1378962

NGTB40N120LWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FS1 IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FS1 IGBT

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияNGTB40N120L
Размер фабричной упаковки30
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности260 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C80 A
Ток утечки затвор-эмиттер200 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V