NGTG20N60L2TF1G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PF
Характеристики
Упаковка / блок | TO-3PF-3L |
---|---|
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | NGTG20N60L2TF1G |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Pd - рассеивание мощности | 64 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |