NID6002NT4G МОП-транзистор NFET 60V HD+
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379001
МОП-транзистор NFET 60V HD+
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NID6002N |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Время спада | 660 ns |
| Время нарастания | 250 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 70 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 14 V |
| Типичное время задержки выключения | 840 ns |
| Типичное время задержки при включении | 96 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |