Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NJV4030PT1G Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NJV4030PT1G Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1379018

NJV4030PT1G Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN

Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-223-4
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияNJT4030P
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 55 C
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности2 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)160 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 1 A at 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400 at 1 A at 1 V