NJVMJB44H11T4G Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 8A 80V TR
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 8A 80V TR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | MJB44H11 |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at 2 A at 1 V |