Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NJVMJD210T4G Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NJVMJD210T4G Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1379033

NJVMJD210T4G Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR

Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокDPAK-4
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияMJD210
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 65 C
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности12.5 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.25 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)8 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)65 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)45 at 2 A at 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.180 at 2 A at 1 V