NJVMJD31CT4G Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100V TR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379039
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100V TR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DPAK |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Reel |
| Серия | MJD31C |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |