Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NJVMJD31T4G Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NJVMJD31T4G Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1379040

NJVMJD31T4G Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокDPAK
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияMJD31
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 65 C
Pd - рассеивание мощности15 W
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)10
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.50