NJVMJD42CT4G Биполярные транзисторы - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379048
Биполярные транзисторы - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | MJD42C |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1750 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 at 0.3 A at 4 V |